采用细颗粒α-SiC和添加剂、造孔剂加工形成造粒粉后压制成素坯，通过烧结温度控制，在2100℃真空烧结炉中控制α-SiC晶体生长，造孔剂在高温下气化形成开口气孔，均匀分布在材料中，从而形成高自润滑性、高纯度的碳化硅材料。