采用细颗粒α-SiC和添加剂加工形成造粒粉后压制成素坯，在1500℃真空烧结炉中与游离硅接触，坯体中的碳与渗入的Si反应，生成β-SiC，并与α-SiC相结合，从而形成高致密性的碳化硅材料。